薄膜电阻器是用蒸发的方法将定电阻率材料蒸镀于缘材料表面制成,具有均匀厚度薄膜电阻的量度。通常被用作评估半导体掺杂的结果。这种工艺的例子有：参杂半导体领域（比如硅或者多晶硅），以及被丝网印刷到薄膜混合微电路基底上的电阻。
薄膜电阻和厚膜电阻的区别是：
其是膜厚的区别，厚膜电路的膜厚般大于10μm，薄膜的膜厚小于10μm，大多处于小于1μm；
其二是制造工艺的区别，厚膜电路般采用丝网印刷工艺，薄膜电路采用的是空蒸发、磁控溅射等工艺方法。
相关电阻器：
碳膜电阻器
将结晶碳沉积在陶瓷棒骨架上制成。碳膜电阻器成本低。性能稳定。阻值范围宽。温度系数和电压系数低，是目前应用广泛的电阻器。
金属膜电阻器
用空蒸发的方法将合金材料蒸镀于陶瓷棒骨架表面。金属膜电阻比碳膜电阻的度高，稳定性好，噪声，温度系数校在仪器仪表及通讯设备中大量采用。
金属氧化膜
在缘棒上沉积层金属氧化物。由于其本身即是氧化物，所以高温下稳定，耐热冲击，负载能力强。
合成膜电阻
将导电合成物悬浮液涂敷在基体上而得，因此也叫漆膜电阻。由于其导电层呈现颗粒状结构，所以其噪声大，度低，主要用他制造高压，高阻，小型电阻器
热处理：
电阻薄膜的热处理的目的是在薄膜中形成定数量的缘相从而改善薄膜的温度性能，提高薄膜的长期稳定性。电阻薄膜的制造往往是高温短时过程，因此大量的非平衡缺陷和些介稳态结构被保留下来，致使薄膜在长期工作过程中，由于这些缺陷的逐渐消失和介稳态的逐渐转变，薄膜的性能逐渐发生变化。通过热处理，可以使沉积过程中产生的些位错自行移动到表面消失，晶界缺陷数量下降，这样，薄膜的结构得到很大的改善，薄膜由亚稳态转变为稳定状态，薄膜性能趋向稳定。另外，由于薄膜和基片常常是两种截然不同的材料，因此在其界面处不可避免地要发生相互扩散和化学反应，从而引起电阻薄膜性能的逐渐变化。类似地，在薄膜表面，也由于扩散和反应，使薄膜性能随着时间发生变化。
从上述看出，未经热处理的电阻薄膜，其性能是不够稳定的，所以必须选择合适的热处理工艺条件，如温度、时间和气氛。般来说，要选用高温，因为只有在高温下，才能在有限的热处理时间内，完成薄膜中的多个过程。同时要在薄膜表面形成密实的保护层，除了选用合适的热处理温度和时间以外，还要选用必要的热处氛。例如，用氧化性或者氮化性气氛。这样形成的缘相可以达到其细微的分散结构，如分子线度的微细分散，从而使得薄膜的稳定性和温度性能达到。
薄膜集成电路是将整个电路的晶体管、二管、电阻、电容和电感等元件以及它们之间的互连引线，部用厚度在1微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或缘介质薄膜，并通过空蒸发、溅射和电镀等工艺制成的集成电路。薄膜集成电路中的有源器件，即晶体管，有两种材料结构形式：种是薄膜场效应硫化镉或硒化镉晶体管，另种是薄膜热电子放大器。更多的实用化的薄膜集成电路采用混合工艺，即用薄膜技术在玻璃、微晶玻璃、镀釉和抛光氧化铝陶瓷基片上制备无源元件和电路元件间的连线，再将集成电路、晶体管、二管等有源器件的芯片和不使用薄膜工艺制作的功率电阻、大容量的电容器、电感等元件用热压焊接、超声焊接、梁式引线或凸点倒装焊接等方式，就可以组装成块完整的集成电路。
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